西湖大学孵化的西湖仪器（杭州）技术有限公司成功开发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术，解决了超大尺寸碳化硅衬底切片难题，阐述了碳化硅材料的优势以及该技术在行业降本增效方面的重要意义。
在科技发展的浪潮中，一项具有重大意义的技术突破传来。27日，记者从西湖大学了解到，由该校孵化的西湖仪器（杭州）技术有限公司取得了令人瞩目的成果——成功开发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术。这一技术的诞生，成功解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片这一长期困扰行业的难题。
在当今的新能源和半导体产业领域，碳化硅材料正扮演着越来越重要的角色。与传统的硅材料相比较，碳化硅具有诸多显著的优势。它拥有更宽的禁带能隙，同时具备更高的熔点、电子迁移率和热导率。这些特性使得碳化硅能够在高温、高电压的严苛条件下稳定工作，因此，它已然成为新能源和半导体产业迭代升级过程中的关键材料。
图为碳化硅衬底激光剥离系统。
西湖大学工学院讲席教授仇旻详细介绍道，对于碳化硅行业而言，降本增效是一个重要的发展目标，而制造更大尺寸的碳化硅衬底材料就是实现这一目标的重要途径之一。与常见的6英寸和8英寸衬底相比，12英寸碳化硅衬底材料具有明显的优势。它扩大了单片晶圆上可用于芯片制造的面积，在同等的生产条件下，能够显著提升芯片的产量。与此同时，还可以降低单位芯片的制造成本，为行业的发展带来了新的机遇。
仇旻进一步指出，“该技术实现了碳化硅晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等过程的自动化。”与传统的切割技术相比，激光剥离过程最大的亮点在于无材料损耗，这使得原料损耗大幅下降。而且，新技术还能够大幅缩短衬底出片时间，非常适用于未来超大尺寸碳化硅衬底的规模化量产。从长远来看，这一技术将进一步促进行业的降本增效，推动整个碳化硅行业朝着更加高效、可持续的方向发展。
本文介绍了西湖仪器（杭州）技术有限公司开发的12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术，解决了超大尺寸碳化硅衬底切片难题。阐述了碳化硅材料优势以及该技术在扩大芯片制造面积、提升产量、降低成本、减少损耗和缩短出片时间等方面的积极作用，对行业降本增效和规模化量产意义重大。
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