本文聚焦于半导体先进封装技术，详细介绍了其在AI发展浪潮中的重要性，阐述了多种先进封装技术的特点和优势，特别强调了EMIB技术在AI芯片封装方面的理想特性，还展望了英特尔未来在先进封装技术上的创新计划。
在当今AI迅猛发展的大浪潮之下，有一项技术正逐渐从“幕后”走向“舞台中央”，它就是半导体先进封装（advanced packaging）。这项颇具创新性的技术，具备一种神奇的能力，它能够在单个设备内部巧妙地集成不同功能、不同制程、不同尺寸以及来自不同厂商的芯粒（chiplet）。通过这种方式，以灵活性强、能效比高且成本经济的途径打造出系统级芯片（SoC）。正因如此，越来越多的AI芯片厂商对这项技术青睐有加。
左上：FCBGA2D、右上：EMIB2.5D、左下：Foveros2.5D & 3D、右下：EMIB3.5D
下面，我们来深入了解几种常见的先进封装技术。FCBGA 2D属于传统的有机FCBGA（倒装芯片球栅格阵列）封装。这种封装方式比较适合那些对成本较为敏感，并且I/O数量较少的产品。因为它在成本控制方面有一定的优势，能够满足这类产品的基本需求。
FCBGA 2D+则是在FCBGA 2D的基础上进行了升级，增加了基板层叠技术（substrate stacking）。这一技术的加入，能够有效地减少高密度互连的面积，从而降低成本。所以，它特别适合网络和交换设备等产品，能够为这些产品在保证性能的同时，实现成本的优化。
EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）2.5D技术是通过基板内的微型硅桥来连接芯片。这种连接方式非常适合高密度的芯片间连接，在AI和高性能计算（HPC）领域有着出色的表现。它能够高效地实现芯片之间的通信，为这些领域的设备提供强大的支持。
EMIB 3.5D是在EMIB 2.5D的基础上引入了3D堆叠技术。芯片可以垂直堆叠在有源或无源的基板上，然后再通过EMIB技术进行连接。这种方式增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时还避免了使用大型的中介层，使得封装更加紧凑和高效。
Foveros 2.5D和3D技术采用基于焊料的连接方式，而不是基底连接。这种连接方式适合高速I/O与较小芯片组分离的设计，能够满足特定的设计需求，提高芯片的性能和稳定性。
Foveros Direct 3D技术则通过铜和铜直接键合，实现了更高的互连带宽和更低的功耗。这使得它能够提供卓越的性能，为芯片的高速运行提供了有力保障。
值得一提的是，这些先进的封装技术并非相互排斥的。在一个封装中，完全可以同时采用多种技术，这为复杂芯片的设计提供了极大的灵活性。从商业层面来看，这也体现了英特尔对封装细分市场的高度重视。
EMIB：AI芯片封装的理想选择
针对AI芯片的先进封装需求，与业界其它晶圆级2.5D技术，例如硅中介层、重布线层（RDL）相比，EMIB2.5D技术具有诸多显著的优势。
首先，成本效益方面表现出色。EMIB技术采用的硅桥尺寸非常小，相比于传统的大尺寸中介层，在制造时能够更高效地利用晶圆面积，大大减少了空间和资源的浪费，从而使得综合成本更低。
另外，在供应链与产能方面也具有优势。英特尔拥有成熟的供应链和充足的产能，这就确保了EMIB能够满足客户对先进封装解决方案的需求，为客户提供稳定可靠的产品。
展望未来
英特尔并没有满足于现有的成就，而是在不断进行技术创新。目前，英特尔正在研发120x120毫米的超大封装，并且计划在未来几年内向市场推出玻璃基板（glasssubstrate）。与目前采用的有机基板相比，玻璃基板具有超低平面度、更好的热稳定性和机械稳定性等独特性能。这些性能能够大幅提高基板上的互连密度，为AI芯片的封装带来新的突破。
可以说，英特尔在AI时代的先进封装技术领域不断创新，将继续引领和推动行业发展，为全球半导体产业注入新的活力。
本文详细介绍了半导体先进封装技术在AI发展中的重要作用，阐述了多种先进封装技术的特点，突出了EMIB技术的优势，并展望了英特尔未来的创新计划，表明英特尔在先进封装技术领域的创新将持续推动半导体产业发展。
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