本文聚焦铠侠股份有限公司申请的“半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法”专利，介绍了专利的申请信息以及该专利在半导体存储装置方面的技术特点。
金融界于2025年3月29日发布消息，来自国家知识产权局的信息表明，铠侠股份有限公司递交了一项极具科技含量的专利申请。该专利名为“半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法”，其公开号为CN 119698002 A，申请日期回溯到2024年8月。
从专利摘要中我们可以了解到，本发明的核心价值在于提供了一种半导体存储装置以及对应的制造方法。此方法有着显著的优势，它能够有效减少层的挠曲及倾斜现象，并且抑制耐压性能的降低，这对于提高半导体存储装置的稳定性和可靠性至关重要。
具体来说，实施方式中的半导体存储装置具有以下结构特点：首先是第1积层体，它是将第1导电层与第1绝缘层交替地逐层积层而成，其中还包含了将第1导电层加工成阶梯状的第1阶梯部。第1层间绝缘膜则起到了覆盖第1阶梯部的作用，保护其不受外界因素的干扰。
在第1积层体的上方，设置着第2积层体。第2积层体同样是将第2导电层与第2绝缘层交替地逐层积层，并且包含将第2导电层加工成阶梯状的第2阶梯部。第2层间绝缘膜负责覆盖第2阶梯部，保障其性能的稳定。
此外，该装置还具备第1及第2板状部，它们分别沿积层方向贯通第1及第2积层体，为电流的传导等提供了通道。第1及第2架桥部则分别配置在第1及第2板状部的上端部，并且分别在两侧连接第1及第2层间绝缘膜。特别值得注意的是，第1及第2架桥部的下端部位于比第1及第2积层体的每一个中的最上层的第1及第2导电层上方的位置，这种独特的设计可能是为了更好地实现装置的各项性能。
铠侠股份有限公司在2024年8月申请的“半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法”专利，该专利于2025年3月相关信息被披露。专利核心在于提供能减少层挠曲及倾斜、抑制耐压性能降低的半导体存储装置及制造方法，并详细介绍了装置的结构特点。这一专利有望为半导体存储领域带来新的发展。本文总结
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