北京晨晶电子有限公司于2024年11月申请的“硅电容器及其制造方法、制造设备”专利在2025年3月29日被公开的消息，还阐述了该专利的摘要内容，同时对北京晨晶电子有限公司的基本情况进行了介绍。
据金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局所披露的信息表明，北京晨晶电子有限公司提出了一项极具科技含量的专利申请。这项专利名为“硅电容器及其制造方法、制造设备”，其公开号为CN 119698006 A，申请日期回溯到2024年11月。
从专利摘要来看，本发明的实施例为业界提供了至少一种硅电容器以及与之对应的制造方法和制造设备。具体而言，该制造方法包含以下关键步骤：首先，借助刻蚀技术，在衬底上沿着特定的预定方向打造出沟槽网络。这里的预定方向是从衬底的顶表面垂直延伸至底表面的竖直方向。通过这样的操作，衬底会被形成为一体结构。而这个沟槽网络由至少一个沟槽构成，并且这些沟槽被一体结构所环绕。接着，利用沉积技术，在衬底上构建至少一层MIM结构。这层MIM结构的形式较为多样，涵盖了单层MIM结构、双层MIM结构以及多层MIM结构。
通过天眼查的资料可知，北京晨晶电子有限公司有着深厚的发展底蕴。它成立于2000年，坐落在北京市，是一家专注于计算机、通信和其他电子设备制造业的企业。该企业的注册资本为1700万人民币，且实缴资本同样为1700万人民币。经过天眼查的大数据分析，可以清晰地看到该公司的发展轨迹和业务布局。北京晨晶电子有限公司共对外投资了2家企业，积极参与市场拓展和产业布局。在招投标方面，它参与了588次项目，展现出较强的市场竞争力。在财产线索方面，拥有商标信息2条，这体现了公司对品牌建设的重视；专利信息多达139条，充分彰显了公司的创新实力。此外，企业还拥有72个行政许可，这也从侧面反映出公司在合规经营方面的良好表现。
北京晨晶电子有限公司“硅电容器及其制造方法、制造设备”专利公开的消息，详细说明了专利的相关内容，并介绍了该公司的基本情况，包括成立时间、注册资本、对外投资、招投标情况、财产线索以及行政许可等，展现了公司在电子制造领域的创新实力和业务布局。
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